Rohm har startat att massproduktionen av 650V GaN (Gallium Nitride) HEMTs optimerade för ett brett utbud av tillämpningar inom kraftförsörjning. Dessa nya produkter är utvecklade tillsammans med Ancora Semiconductors, ett dotterbolag till Delta Electronics, som utvecklar GaN-enheter. Efter att ha påbörjat massproduktion av 150V GaN HEMTs – med en gate genomslagsspänning på 8V 2022 – etablerade Rohm i mars 2023 styr-IC-teknik för att maximera GaN-prestanda. Den här gången har företaget … [Läs mer...] om Rohm startar massproduktion av 650V GaN HEMTs
GaN
SweGaN tar in 12 miljoner euro och utser ny vd
Linköpingsföretaget SweGaN, som tillverkar skräddarsydda GaN-på-SiC-skivor, har säkrat investeringar på 12 miljoner euro avsedda för att kraftigt utöka sin produktionskapacitet. Samtidigt har företaget utsett Jr-Tai "Ted" Chen till ny vd och plockat in tre nya ledamöter i styrelsen. SweGaN AB, som tillverkar av skräddarsydda Galliumnitrid på kiselkarbid (GaN-på-SiC) epitaxiella skivor för ett omfattande utbud av komponenter som används inom telekommunikation, satellitkommunikation, … [Läs mer...] om SweGaN tar in 12 miljoner euro och utser ny vd
SweGaN tar in riskkapital och samarbetar om GaN på SiC-kraftenheter
Före midsommar rapporterade SweGaN och Chalmers att de tillsammans demonstrerat högspännings GaN-kraftenheter med en hög genombrottsspänning på >1600V och låg läckström på 22nA/mm på SweGaN:s QuanFINE epitaxi. Förra veckan avslöjade Linköpings universitet (LiU) att SweGaN också tagit in 100 miljoner kronor i riskkapital. SweGaN grundades 2014 och baserar sin teknologi på materialforskning vid Linköpings universitets institution IFM där företagets produktion fortfarande sker. Företaget … [Läs mer...] om SweGaN tar in riskkapital och samarbetar om GaN på SiC-kraftenheter
ST:s och Macoms RF GaN-on-Si-prototyp når milstolpe
STMicroelectronics (ST) och Macom Technology Solutions meddelar att företagen framgångsrikt producerat RF gallium-nitrid-på-kisel-prototyper (RF GaN-on-Si). Tekniken förväntas kunna konkurrera med beprövade LDMOS men också med GaN-on-SiC avseende pris och prestanda. Enligt de båda samarbetspartnerna erbjuder RF GaN-on-Silicon en hög potential för 5G- och 6G-infrastruktur. Den sedan länge etablerade RF-krafttekniken, lateralt diffuserade metalloxidhalvledare (LDMOS), dominerade den tidiga … [Läs mer...] om ST:s och Macoms RF GaN-on-Si-prototyp når milstolpe
Lyckad GaN-forskning öppnar för bättre kraftelektronik
Forskningsinstitutet imec har genomfört en lyckad samintegrering av högpresterande Schottky-barriärdioder och depletion-mode HEMT:er på en p-GaN HEMT-baserad 200 V GaN-on-SOI-plattform för integrerade kretsar utvecklad på 200 mm substrat. Resultaten redovisades på årets International Electron Devices Meeting (IEEE IEDM 2021). Att integrera dessa komponenter möjliggör utvecklingen av kretsar med utökad funktionalitet och högre prestanda som enligt imec tar monolitiskt integrerade … [Läs mer...] om Lyckad GaN-forskning öppnar för bättre kraftelektronik
Aachen University tog hem GaN-tävling
Forkningsinstitutet Imec och konsortiet Europractice har utsett vinnarna av deras 2021 års GaN-IC-designtävling. Vinnare blev ett forskningsteam från Aachen University medan bidrag som lämnats in av Esat-Micas från KU Leuven och Leibniz University Hannover kom tvåa respektive trea. Tävlingen syftar till att uppmuntra innovation inom kraftelektronikapplikationer med imecs Gallium Nitride -teknik för monolitisk integration av kraftelektronikkretsar. Det prisbelönta projektet med titeln … [Läs mer...] om Aachen University tog hem GaN-tävling
