• Hoppa till huvudnavigering
  • Hoppa till huvudinnehåll
  • Hoppa till det primära sidofältet
  • Hoppa till sidfot

SE Nytt

Elektroniknytt i Skandinavien

  • Hem
  • Nyheter
    • Nyheter · Elektronik
    • Nyheter · Energi
    • Nyheter · Telekom
    • Nyheter · Ekonomi
    • Nyheter · FoU
  • Om oss
  • Kontakt
Hem » Power Integrations släpper 1250 V GaN switch-IC

Power Integrations släpper 1250 V GaN switch-IC

1 november 2023 – Jonas Karlsson

Kraftelektronikföretaget Power Integrations lanserar nu singelswitch strömförsörjnings-IC:er för 1250 V i galliumnitrid (GaN). Företagets serie InnoSwitch 3-EP 1250 V IC:er är de senaste medlemmarna i Power Integrations InnoSwitch-familj av off-line CV/CC QR flyback switch-IC:er, som har synkron likriktning, säkerhetsisolerad återkoppling och en rad switchalternativ: 725 V i kisel, 1700 V i kiselkarbid och varianter med 750 V, 900 V och nu 1250 V i GaN.

Omkopplingsförlusterna för Power Integrations egenutvecklade 1250 V PowiGaN-teknik är mindre än en tredjedel av vad som ses i motsvarande kiselenheter vid samma spänning. Detta resulterar i energiomvandlingseffektivitet på 93 procent – vilket möjliggör mycket kompakta strömförsörjningslösningar som kan leverera upp till 85 W utan kylfläns.

– Power Integrations fortsätter att utveckla den senaste tekniken inom högspännings-GaN-teknologiutveckling och kommersiell användning, vilket gör även de bästa högspännings-MOSFET:arna i kisel föråldrade längs vägen. Vi var först på marknaden med stora volymsändningar av GaN-baserade strömförsörjningskretsar 2019, och tidigare i år introducerade vi en 900-voltsversion av våra GaN-baserade InnoSwitch-produkter. Vår pågående utveckling av GaN-teknik för högre spänning, illustreras här av våra nya 1250 V-enheter som utökar effektivitetsfördelarna med GaN till ett ännu bredare spektrum av applikationer, inklusive många som för närvarande använder kiselkarbidteknologi, säger Radu Barsan, chef för technology på Power Integrations.

Designers som använder de nya InnoSwitch3-EP 1250 V IC:erna kan med säkerhet specificera en driftstoppspänning på 1 000 V, vilket möjliggör en standard 80 procent de-rating från det absoluta maxvärdet på 1 250 V. Detta ger betydande utrymme för industriella applikationer och är särskilt värdefullt i utmanande elnätsmiljöer där robusthet är ett viktigt försvar mot nätinstabilitet, överspänningar och andra störningar av strömförsörjningen.

Prover finns tillgängliga nu; ledtiden för volymleveranser för 1250 V InnoSwitch3-EP IC är 16 veckor. Priset för InnoSwitch3-EP 1250 V-enheter i INSOP-24D-paketet börjar på 3,00 dollar för 10 000 enheter. En referensdesign, DER-1025, som beskriver en 12 V, 6 A flyback-omvandlare finns tillgänglig för gratis nedladdning.

Arkiverad under: Elektronik Märkt med: Elektronikkonstruktion, Energiförsörjning, Fordonselektronik, GaN, Halvledare, Komponenter, Kraftelektronik

Translate SE-Nytt to your own language

Primärt sidofält

Aktuellt

AAC levererar sina första terminaler med laserkommunikation

SSC stärker banden till Japan och etablerar kontor i Tokyo

Thales och Kista Science samarbetar kring cyberstartups

Mildef får norsk rekordorder av Kongsberg

Finska The Qt Company lägger bud på IAR Systems

LiU och Norrköping Airport skapar testbädd för drönare

Gapwaves inleder produktion av ADAS-antenner till Valeo

Telekrigsbolaget Oscillion får order på drönarstörare

Skuldberg får Wolfspeed att ansöka om konkurs

Inission förvärvar litauiska branschkollegan Selteka

Footer

Aktuellt

AAC levererar sina första terminaler med laserkommunikation

SSC stärker banden till Japan och etablerar kontor i Tokyo

Thales och Kista Science samarbetar kring cyberstartups

Mildef får norsk rekordorder av Kongsberg

TRANSLATE SE-Nytt

SE Nytt

Kronobergsgatan 16 2tr, 112 33 Stockholm
E-post jonas@senytt,se
Tel +46 (0)73 697 5850

RSS RSS-feed

© 2025 SE Nytt · Xpomagz On Genesis Framework & WordPress · GDPR+Cookies · Logga in