Rohm har startat att massproduktionen av 650V GaN (Gallium Nitride) HEMTs optimerade för ett brett utbud av tillämpningar inom kraftförsörjning. Dessa nya produkter är utvecklade tillsammans med Ancora Semiconductors, ett dotterbolag till Delta Electronics, som utvecklar GaN-enheter.
Efter att ha påbörjat massproduktion av 150V GaN HEMTs – med en gate genomslagsspänning på 8V 2022 – etablerade Rohm i mars 2023 styr-IC-teknik för att maximera GaN-prestanda. Den här gången har företaget utvecklat 650V GaN HEMT:s med vad Rohm hävdar har marknadsledande prestanda som bidrar till högre effektivitet och mindre storlek i ett bredare utbud av strömförsörjningssystem.
Med Rohms nya produkter GNP1070TC-Z och GNP1150TCA-Z hävdar företaget att de levererar branschledande prestanda i termer av RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, ett meritvärde för GaN HEMTs, vilket ger högre effektivitet i strömförsörjningssystem. Samtidigt förbättrar ett inbyggt ESD-skyddselement det elektrostatiska nedbrytningsmotståndet vid upp till 3,5 kV, vilket leder till högre applikationssäkerhet. GaN HEMTs switchegenskaper med hög hastighet bidrar också till en högre grad av miniatyrisering av perifera komponenter.
