STMicroelectronics (ST) och materialteknikföretaget Soitec har tecknat avtal om att kvalificera Soitecs teknologi för framtida 200 mm SiC-substratproduktion. Målet är att ST skall gå över från skivor i 150 mm till Soitecs 200 mm SiC-skivteknik och därmed kunna öka utbytet av komponenter per skiva med en faktor 1,8 - 1,9. ST och Soitec kommer nu ta nästa steg i sitt samarbete kring kiselkarbid (SiC)-substrat, med kvalificeringen av Soitecs SiC-substratteknologi som av ST är planerad att … [Läs mer...] om ST växlar över till 200 mm SiC-substrat från Soitec
SiC
SweGaN tar in 12 miljoner euro och utser ny vd
Linköpingsföretaget SweGaN, som tillverkar skräddarsydda GaN-på-SiC-skivor, har säkrat investeringar på 12 miljoner euro avsedda för att kraftigt utöka sin produktionskapacitet. Samtidigt har företaget utsett Jr-Tai "Ted" Chen till ny vd och plockat in tre nya ledamöter i styrelsen. SweGaN AB, som tillverkar av skräddarsydda Galliumnitrid på kiselkarbid (GaN-på-SiC) epitaxiella skivor för ett omfattande utbud av komponenter som används inom telekommunikation, satellitkommunikation, … [Läs mer...] om SweGaN tar in 12 miljoner euro och utser ny vd
SweGaN tar in riskkapital och samarbetar om GaN på SiC-kraftenheter
Före midsommar rapporterade SweGaN och Chalmers att de tillsammans demonstrerat högspännings GaN-kraftenheter med en hög genombrottsspänning på >1600V och låg läckström på 22nA/mm på SweGaN:s QuanFINE epitaxi. Förra veckan avslöjade Linköpings universitet (LiU) att SweGaN också tagit in 100 miljoner kronor i riskkapital. SweGaN grundades 2014 och baserar sin teknologi på materialforskning vid Linköpings universitets institution IFM där företagets produktion fortfarande sker. Företaget … [Läs mer...] om SweGaN tar in riskkapital och samarbetar om GaN på SiC-kraftenheter
