National Institute of Standards and Technology (NIST) har tillsammans med universitet och andra institut lyckats ta ett litet men ändå mäktigt steg framåt inom timingteknologin: kompakta chips som sömlöst omvandlar ljus till mikrovågor med extremt lågt gitter. Tekniken kan förbättra GPS, kvaliteten på telefon- och internetanslutningar, noggrannheten hos radar- och avkänningssystem och andra tekniker som är beroende av högprecisionstid och kommunikation. Tekniken minskar något som kallas … [Läs mer...] om NIST utvecklar chip med extremt lågt jitter
Mikrovågsteknik
Imec presenterar nya GaN HEMTs på Si för 5G-advanced
Forskningsinstitutet imec har på veckans IEEE IEDM 2023 presenterat aluminiumnitrid/galliumnitrid (AlN/GaN) metall-isolator-halvledare högelektronmobilitetstransistorer (MISHEMTs) på 200 mm Si-substrat med hög uteffekt och energieffektivitet som arbetar vid 28GHz. Resultaten från tester visar att imecs GaN-on-Si MISHEMT-teknologi överträffar andra GaN MISHEMT-enhetsteknologier när det gäller prestanda, medan införandet av Si-substratet ger en stor kostnadsfördel för industriell … [Läs mer...] om Imec presenterar nya GaN HEMTs på Si för 5G-advanced
AAC Clyde Space levererar vädersensor för ESA Arctic Mission
AAC Omnisys, en del av AAC Clyde Space-gruppen, har levererat en vädersensornyttolast till OHB Sweden som framgångsrikt har integrerats i deras InnoSat-plattform. ESA:s demonstrationsuppdrag Arctic Weather Satellite (AWS) syftar till att förbättra väderprognoser i den arktiska regionen och globalt och samtidigt vi förbättra förståelsen för klimatförändringar. Europeiska rymdorganisationens Arctic Weather-uppdrag kommer att ge frekvent täckning av jorden för förbättrad nowcasting och … [Läs mer...] om AAC Clyde Space levererar vädersensor för ESA Arctic Mission
X-FAB lanserar nya funktioner och process för IPD
Kiselsmedjan X-FAB Silicon Foundries har utökat sin kompetens inom RF med nya funktioner för tillverkning av integrerade passiva enheter (IPD). X-FAB:s nya process XiPD är sprunget ur bolagets X-FAB XR013 130nm RF SOI-process och utnyttjar ett bearbetat substrat tillsammans med ett tjockt kopparmetalliseringsskikt för att konstruera in passiva element. X-FAB:s nya process gör det möjligt för kunder att integrera passiva element (induktorer, kondensatorer och motstånd) direkt i sina … [Läs mer...] om X-FAB lanserar nya funktioner och process för IPD
NordAmps tar in 14 miljoner kronor till nanotrådstransistor
Nanoteknikföretaget NordAmps har i en riktad emission tagit in totalt 14 miljoner kronor från ett antal olika investerare och Lunds universitets holdingbolag LU Holding. Pengarna skall gå till att vidareutveckla bolagets III-V nanotrådstransistorer: Enligt NordAmps en nyckel till nästa generations 5G, 6G, satellitkommunikation och kvantdatorer. Bland investerarna finns Stockholms Affärsänglar (STOAF), Butterfly Ventures, SteNat Invest, Almi Invest, Lunds universitets holdingbolag LU … [Läs mer...] om NordAmps tar in 14 miljoner kronor till nanotrådstransistor
Rohde & Schwarz bjuder in till seminarium
Rohde & Schwarz bjuder in till ett kostnadsfritt halvdagslångt grundseminarium om praktisk användning och förståelse av spektrumanalysatorer och vektor-nätverksanalysatorer. Seminarier kommer hållas i Linköping, Stockholm, Lund och Göteborg. Seminariet är enligt R&S avsett för ingenjörer eller studenter som är nya inom området RF och mikrovåg, eller de som redan har erfarenhet inom området och som vill ha en uppdatering för att förbättra förståelsen och effektiviteten i sitt … [Läs mer...] om Rohde & Schwarz bjuder in till seminarium
ST:s och Macoms RF GaN-on-Si-prototyp når milstolpe
STMicroelectronics (ST) och Macom Technology Solutions meddelar att företagen framgångsrikt producerat RF gallium-nitrid-på-kisel-prototyper (RF GaN-on-Si). Tekniken förväntas kunna konkurrera med beprövade LDMOS men också med GaN-on-SiC avseende pris och prestanda. Enligt de båda samarbetspartnerna erbjuder RF GaN-on-Silicon en hög potential för 5G- och 6G-infrastruktur. Den sedan länge etablerade RF-krafttekniken, lateralt diffuserade metalloxidhalvledare (LDMOS), dominerade den tidiga … [Läs mer...] om ST:s och Macoms RF GaN-on-Si-prototyp når milstolpe
pSemi lanserar nya RF-switchar för sub-6 GHz massiv MEMO
Murata-företaget pSemi utökar sin portfölj med RF SOI-omkopplare med hög linearitet i hybridarkitekturtopologier för även den senaste trådlösa 5G-infrastrukturen och basstationsinstallationer med massiv MIMO. Genom att använda de nya omkopplarna med hög linjäritet i hybridarkitekturtopologier kan konstruktörer av basstationer spara kortutrymme och förbättra värmehanteringen, vilket minskar det totala systemets kostnad, vikt och strömförbrukning. pSemis avancerade SP4T-switchar har enligt … [Läs mer...] om pSemi lanserar nya RF-switchar för sub-6 GHz massiv MEMO
