SE Nytt

Elektroniknytt i Skandinavien

Hem » Telekom » Mikrovågsteknik

Mikrovågsteknik

X-FAB lanserar nya funktioner och process för IPD

–

Kiselsmedjan X-FAB Silicon Foundries har utökat sin kompetens inom RF med nya funktioner för tillverkning av integrerade passiva enheter (IPD). X-FAB:s nya process XiPD är sprunget ur bolagets X-FAB XR013 130nm RF SOI-process och utnyttjar ett bearbetat substrat tillsammans med ett tjockt kopparmetalliseringsskikt för att konstruera in passiva element. X-FAB:s nya process gör det möjligt för kunder att integrera passiva element (induktorer, kondensatorer och motstånd) direkt i sina … [Läs mer...] om X-FAB lanserar nya funktioner och process för IPD

NordAmps tar in 14 miljoner kronor till nanotrådstransistor

–

Nanoteknikföretaget NordAmps har i en riktad emission tagit in totalt 14 miljoner kronor från ett antal olika investerare och Lunds universitets holdingbolag LU Holding. Pengarna skall gå till att vidareutveckla bolagets III-V nanotrådstransistorer: Enligt NordAmps en nyckel till nästa generations 5G, 6G, satellitkommunikation och kvantdatorer. Bland investerarna finns Stockholms Affärsänglar (STOAF), Butterfly Ventures, SteNat Invest, Almi Invest, Lunds universitets holdingbolag LU … [Läs mer...] om NordAmps tar in 14 miljoner kronor till nanotrådstransistor

Rohde & Schwarz bjuder in till seminarium

–

Rohde & Schwarz bjuder in till ett kostnadsfritt halvdagslångt grundseminarium om praktisk användning och förståelse av spektrumanalysatorer och vektor-nätverksanalysatorer. Seminarier kommer hållas i Linköping, Stockholm, Lund och Göteborg. Seminariet är enligt R&S avsett för ingenjörer eller studenter som är nya inom området RF och mikrovåg, eller de som redan har erfarenhet inom området och som vill ha en uppdatering för att förbättra förståelsen och effektiviteten i sitt … [Läs mer...] om Rohde & Schwarz bjuder in till seminarium

ST:s och Macoms RF GaN-on-Si-prototyp når milstolpe

–

STMicroelectronics (ST) och Macom Technology Solutions meddelar att företagen framgångsrikt producerat RF gallium-nitrid-på-kisel-prototyper (RF GaN-on-Si). Tekniken förväntas kunna konkurrera med beprövade LDMOS men också med GaN-on-SiC avseende pris och prestanda. Enligt de båda samarbetspartnerna erbjuder RF GaN-on-Silicon en hög potential för 5G- och 6G-infrastruktur. Den sedan länge etablerade RF-krafttekniken, lateralt diffuserade metalloxidhalvledare (LDMOS), dominerade den tidiga … [Läs mer...] om ST:s och Macoms RF GaN-on-Si-prototyp når milstolpe

pSemi lanserar nya RF-switchar för sub-6 GHz massiv MEMO

–

Murata-företaget pSemi utökar sin portfölj med RF SOI-omkopplare med hög linearitet i hybridarkitekturtopologier för även den senaste trådlösa 5G-infrastrukturen och basstationsinstallationer med massiv MIMO. Genom att använda de nya omkopplarna med hög linjäritet i hybridarkitekturtopologier kan konstruktörer av basstationer spara kortutrymme och förbättra värmehanteringen, vilket minskar det totala systemets kostnad, vikt och strömförbrukning. pSemis avancerade SP4T-switchar har enligt … [Läs mer...] om pSemi lanserar nya RF-switchar för sub-6 GHz massiv MEMO

Gapwaves får nya beställningar och ny styrelseledamot

–

Antenn- och vågledarföretaget Gapwaves har erhållit nya beställningar från amerikanska Uhnder. Projektet består av två delar; antenndesign baserat på en ny specifikation och framtagning av verktyg för produktion av 77GHz prototyper avsedda för fordonsindustrin. Dessutom har företaget valt in en ny styrelseledamot från Hella. … [Läs mer...] om Gapwaves får nya beställningar och ny styrelseledamot