IGBT

Renesas Electronics lanserar nu en ny generation Si-IGBT:er (Silicon Insulated Gate Bipolar Transistors) som kommer att erbjudas i ett format med litet fotavtryck samtidigt som de ger lägre effektförluster. Komponenterna är avsedda för nästa generations växelriktade till elfordon. De nya IGBT:erna i företagets AE5-generation kommer att massproduceras med start under första halvåret 2023 vid Renesas 200- och 300 mm wafer-produktionslinor i företagets fabrik i Naka i Japan. Dessutom kommer … [Läs mer...] om Renesas lanserar IGBT:er till växelriktare för elfordon