Halvledarföretaget Renesas Electronics har utvecklat 22nm kretsteknologier för ett embedded spin-transfer torque magnetoresistiv random-access (STT-MRAM) testchip med med snabba läs- och skrivmöjligheter. Chipet är tillverkat med en 22-nm-process och inkluderar en mikrostyrenhet och en 10,8 megabit inbäddad MRAM-cellmatris. Den uppnår en slumpmässig läsåtkomstfrekvens på över 200 MHz och en skrivkapacitet på 10,4 megabyte per sekund (MB/s). Allt eftersom IoT- och AI-teknologier … [Läs mer...] om Renesas lanserar snabb MCU-testchip med inbyggt MRAM
Minnesteknik
Svensk teknologi minskar elförbrukningen i serverhallar
Göteborgsbaserade ZeroPoint Technologies uppger att företagets teknologi kan minska elförbrukningen i serverhallar med 25 procent. Det görs genom en teknik för datakompression där bara nödvändig information sparas i servrarnas minne. Sveriges serverhallar förväntas i år förbruka cirka 3 TWh el, enligt studien ”Datacenter i Sverige”. Det motsvarar ungefär hela Uppsala läns förbrukning, enligt Lars Nordström, professor vid Kungliga Tekniska högskolan (KTH). Elektricitet är en bristvara … [Läs mer...] om Svensk teknologi minskar elförbrukningen i serverhallar
Weebit Nanos första demo ReRAM-wafers nu tillgängliga
Israeliska Weebit Nano har tillsammans med sin utvecklingspartner CEA-Leti tillverkat de första kiselskivorna som integrerar deras ReRAM-modul i kompletta delsystem-demonstrationschips. Dessa kommer att användas för testning och karakterisering, såväl som för demonstrationsändamål för potentiella kunder. Enligt Weebit Nano är det viktigt att låta potentiella kunder köra applikationer för att testa Weebits ReRAM-teknik före potentiella kommersiella beställningar och volymproduktion av … [Läs mer...] om Weebit Nanos första demo ReRAM-wafers nu tillgängliga
LTH integrerar vertikal nanotrådtransistor med minne
Forskare vid Lunds Tekniska Högskola (LTH) har byggt en nanotrådstransistor med integrerat minne i samma tråd som kan bli framtidens byggsten för superdatorer och skapa nya förbättrade funktioner inom allt från AI och maskininlärning till på sikt även vanliga datorer. Forskarnas rön finns nu beskrivna i en artikel i Nature Electronics. I artikeln i Nature Electronics redogör forskarna för den nya så kallade 1T1R-konfiguationen, där en minnescell är integrerad med en vertikal … [Läs mer...] om LTH integrerar vertikal nanotrådtransistor med minne
Spar energi med ny skrivteknik för MRAM
Renesas Electronics har utvecklat två nya teknologier som enligt företaget minskar energiåtgången med 72 procent och spänningsappliceringstiden med 50 procent för skrivoperationen av så kallade spin-transfer torque magnetic random-access memory (STT-MRAM, hädanefter benämnt MRAM). På ett 20-megabitars (Mbit) testchip med en inbyggd uppsättning MRAM-minnesceller i en 16 nm FinFET-logikprocess, lyckades företaget uppnå 72-procentig minskning av skrivenergin och en 50-procentig minskning av … [Läs mer...] om Spar energi med ny skrivteknik för MRAM
