Kiselsmedjan X-FAB Silicon Foundries har utökat sin kompetens inom RF med nya funktioner för tillverkning av integrerade passiva enheter (IPD). X-FAB:s nya process XiPD är sprunget ur bolagets X-FAB XR013 130nm RF SOI-process och utnyttjar ett bearbetat substrat tillsammans med ett tjockt kopparmetalliseringsskikt för att konstruera in passiva element.
X-FAB:s nya process gör det möjligt för kunder att integrera passiva element (induktorer, kondensatorer och motstånd) direkt i sina enhetskonstruktioner, vilket resulterar i betydande utrymmes- och kostnadsbesparingar. Tillverkningen utförs vid X-FAB:s anläggning i Corbeil-Essonnes, Frankrike, genom att utnyttja företagets omfattande erfarenhet av kopparmetallisering.
Den pågående utbyggnaden av 5G-cellulär infrastruktur tillsammans med utvecklingen av 6G-kommunikation och framväxten av den senaste generationens radar- och satellitkommunikationsteknik har inneburit att det behövs enheter som har ett bredare frekvensstöd. Genom användning av XIPD-plattformen kan krav på mer kompakt RF/EMI-filtrering, matchande nätverk, baluner och kopplingar tillgodoses – genom tillverkning av helt integrerade passiva komponenter med förbättrade prestandaegenskaper.
Istället för att behöva förlita sig på användningen av ytmonterade eller diskreta passiva komponenter – vilket kan visa sig vara bökigt på grund av komponentavvikelser vid hög frekvens eller ökad komponentförsörjningskomplexitet – så kan XIPD visa sig vara ett smartare sätt att effektivisera den övergripande systemdesignen, accelererar utvecklingscyklerna , förenklar tillverkningen och minskar de ingående ingenjörskostnaderna. Operativ drift över ett omfattande frekvensområde, från sub-6GHz-bandet hela vägen till de högre frekvenserna i mm-vågsbandet, kan enligt X-FAB tillgodoses.
Även en omfattande processdesignsats (PDK) finns tillgänglig med stöd för både Cadence och Keysight ADS designmiljöer, vilket gör det möjligt för kunder att göra exakta simuleringar och uppnå en ”first-time-right”-design av hela RF-subsystemet. Inledande prototypframtagningar tillsammans med flera nyckelkunder har enligt X-FAB nu påbörjats.
– Även om RF-halvledarenheter fortsätter att krympa, är de passiva komponenterna som åtföljer dem fortfarande relativt stora. Denna missmatch passar inte bra med behovet av slankare elektronisk utrustning och gör att ytterligare kortyta tas upp, säger Rudi De Winter, vd för X-FAB.
– Genom att använda vår XIPD-teknik är det inte bara möjligt att uppnå utrymmesbesparingar av flera storleksordningar, utan det leder också till minskningar av de associerade kostnaderna också. Detta har potentialen att bli en verklig spelväxling för vår kundbas, vilket tillåter samkapsling av aktiva och passiva brickor samtidigt som vi uppnår högt utbyte (yield).
X-FAB kommer att ha teknisk personal tillgänglig i sin monter på evenemanget European Microwave Week 17 till 22 september i Berlin för den som vill veta mer.
