Minnesteknikföretaget Weebit Nano har tejpat ut (släppt till tillverkning) ett demonstrationschip som integrerar dess inbyggda Resistive Random-Access Memory (ReRAM eller RRAM)-modul i en avancerad 22nm FD-SOI processteknik. Detta är en första tape-out av företagets Weebit ReRAM i 22nm, en av branschens vanligaste processnoder, och en geometri där inbyggd flash inte är genomförbar. Weebit har arbetat med sina utvecklingspartners CEA-Leti och CEA-List för att framgångsrikt skala ner sin … [Läs mer...] om Weebit Nano släpper tape-out för ReRAM i 22nm FD-SOI-process
Minnen
Micron startar volymproduktion av 232-lagers NAND
Micron Technology har påbörjat volymproduktionen av världens första 232-lagers NAND. Minneskomponenten kommer i en 6-plansarkitektur och uppges ge en 50-procentig snabbare dataöverföring jämfört med företagets 176-lagerskrets samt är försett med ett NV-LPDDR4-lågspänningsgränssnitt. – Microns 232-lagers NAND är en vattendelare för lagringsinnovation som första bevis på förmågan att skala 3D NAND till mer än 200 lager i produktionen, säger Scott DeBoer, executive vice president of … [Läs mer...] om Micron startar volymproduktion av 232-lagers NAND
Infineon släpper första 2Mb F-RAM med SPI för rymden
Infineon Technologies meddelar att föreaget släppt rymdindustrins första strålningshärdade ferroelektriska RAM (F-RAM) med seriellt gränssnitt (SPI) för extrema miljöer. De nya kretsarna kommer enligt Infineon med oöverträffad tillförlitlighet och dataretention, och är mer energieffektiva än icke-flyktiga EEPROM- och seriella NOR Flash-enheter för rymdapplikationer. Tillägget av ett QML-V-kvalificerade F-RAM till Infineons minnesportfölj kommer med fördelar såsom en nästan oändlig … [Läs mer...] om Infineon släpper första 2Mb F-RAM med SPI för rymden
Kontaminering kan höja priserna på flash-minnen
Western Digital meddelar att en förorening av visst material som används i tillverkningsprocesser för NAND flashminnen har inträffat och påverkar produktionsverksamheten vid de båda japanska flashtillverkningsanläggningarna i Yokkaichi och Kitakami. Western Digitals nuvarande bedömning av effekten av uppkommen situation innebär en minskning av tillgängliga flashminnen på minst 6,5 miljoner terabyte. Företaget arbetar nära sin samriskpartner Kioxia för att genomföra nödvändiga åtgärder som … [Läs mer...] om Kontaminering kan höja priserna på flash-minnen
Weebit Nanos första demo ReRAM-wafers nu tillgängliga
Israeliska Weebit Nano har tillsammans med sin utvecklingspartner CEA-Leti tillverkat de första kiselskivorna som integrerar deras ReRAM-modul i kompletta delsystem-demonstrationschips. Dessa kommer att användas för testning och karakterisering, såväl som för demonstrationsändamål för potentiella kunder. Enligt Weebit Nano är det viktigt att låta potentiella kunder köra applikationer för att testa Weebits ReRAM-teknik före potentiella kommersiella beställningar och volymproduktion av … [Läs mer...] om Weebit Nanos första demo ReRAM-wafers nu tillgängliga
Samsung startar massproduktion av minnen för fordon
Samsung Electronics har startat massproduktion av ett omfattande sortiment minneskretsar avsedda att ingå i lösningar för avancerad infotainment och fordon designade för nästa generations autonoma elfordon. Det handlar om minneslösningar såsom högpresterande SSD-enheter, grafik-DRAM, DDR4 DRAM och UFS-produkter. Det nya sortimentet inkluderar en 256-gigabyte (GB) PCIe Gen3 NVMe ball grid array (BGA) SSD, 2GB GDDR6 DRAM och 2GB DDR4 DRAM för högpresterande infotainmentsystem, samt 2GB … [Läs mer...] om Samsung startar massproduktion av minnen för fordon
