Micron Technology har påbörjat volymproduktionen av världens första 232-lagers NAND. Minneskomponenten kommer i en 6-plansarkitektur och uppges ge en 50-procentig snabbare dataöverföring jämfört med företagets 176-lagerskrets samt är försett med ett NV-LPDDR4-lågspänningsgränssnitt.
– Microns 232-lagers NAND är en vattendelare för lagringsinnovation som första bevis på förmågan att skala 3D NAND till mer än 200 lager i produktionen, säger Scott DeBoer, executive vice president of technology and products hos Micron.
Företagets nya 232-lagers NAND-komponent är avsedd för högpresterande lagring i realtid och tillämpningar hittas inom datacenter- och fordonsapplikationer såväl som till mobila enheter, konsumentelektronik och datorer.
Enligt Micron representerar företagets nya teknologinod introduktionen av branschens snabbaste NAND I/O-hastighet – 2,4 gigabyte per sekund (GB/s) – för att möta behoven med låg latens och hög genomströmning av datacentrerade arbetsbelastningar som artificiell intelligens och maskininlärning, ostrukturerade databaser och realtidsanalys och molnberäkningar. Den hastigheten representerar en 50 procents snabbare dataöverföring än det snabbaste gränssnittet hos företagets 176-lagersnod. Vidare uppges Microns 232-lagers-NAND ha en upp till 100 procent högre skrivbandbredd och mer än 75 procent högre läsbandbredd per bricka än föregående generation. Dessutom introducerar 232-lagers-NAND världens första sexplans TLC-produktion NAND. Den har flest plan per bricka av alla TLC flash och har oberoende läsbarhet i varje plan.
Tillgänglighet
Microns 232-lagers NAND är nu i volymproduktion i företagets Singapore-fabrik. Det skickas initialt till kunder i komponentform och genom sin Crucial SSD konsumentproduktlinje. Ytterligare produkt- och tillgänglighetsmeddelanden från företaget kommer att komma senare. Några prisindikationer finns inte med i ett pressmeddelande från företaget.
