KTH-avknoppningen TeraSi tar in Adrian Gomez Torrent som en tredje medgrundare av bolaget. Samtidigt stänger TeraSi en försåddsrunda där pengarna kommer användas till att utveckla 6G-hårdvara till applikationer i rymden och på jorden. Det Stockholmsbaserade deeptechbolaget TeraSi som utvecklar hårdvara till 6G-applikationer, har tagit in Adrian Gomez Torrent som en tredje medgrundare, samtidigt som de stänger en så kallad pre-seedrunda. I och med detta ska bolagets teknik och utveckling … [Läs mer...] om TeraSi plockar in medgrundare och stänger såddrunda
Halvledare
Sivers och Chalmers i FoU-samarbete om effektförstärkare
Sivers Semiconductors och Chalmers Tekniska Högskola har beviljats 4 miljoner kronor för gemensam forskning och utveckling av en ny generation effektförstärkare. Projektet tar sikte på en global marknad med stor tillväxtpotential bland traditionella bredbandsleverantörer, vartill kommer nya marknadssegment som möjliggörs av artificiell intelligens och maskininlärning. Projektet syftar till att göra dagens integrerade radiokretsar för licensfritt 5G-bredband mer konkurrenskraftiga, … [Läs mer...] om Sivers och Chalmers i FoU-samarbete om effektförstärkare
Ny 5G mmvågs pSemi-switch redo för volymproduktion
Murata-företaget pSemi meddelar att företagets senaste SP4T-switch avsedd för bredbands- och högfrekvensapplikationer upp till 67 GHz nu är redo för volymproduktion. Företagets nya kompakta och energieffektiva switch är designad för att förbättra 5G-millimetervågsystem (mmWave) med anslutningar över korta distanser. Deras nya PE42545 ingår i en kretsfamilj millimetervågsswitchar som uppges hjälpa designers att förenkla layouter och förbättra systemets övergripande effektivitet för tester … [Läs mer...] om Ny 5G mmvågs pSemi-switch redo för volymproduktion
Fraunhofer IISB visar upp AlN-kristall med Ø 43 mm
Fraunhofer IISB har lyckats växa en aluminiumnitrid (AlN)-kristall med en diameter på 43 mm i teknikrelevant kvalitet med låg mängd defekter avsett för effekttransistorer och kommer i framtiden prestandamässigt kunna konkurrera med halvledare i SiC och GaN. Resultatet är enligt forskningsinstitutet Fraunhofer ett betydande steg för att nå den viktiga milstolpen inom det av Federal Ministry of Education and Research (MBMF) finansierade projektet Leitban att demonstrera en AlN-kristall med … [Läs mer...] om Fraunhofer IISB visar upp AlN-kristall med Ø 43 mm
Renesas lanserar IGBT:er till växelriktare för elfordon
Renesas Electronics lanserar nu en ny generation Si-IGBT:er (Silicon Insulated Gate Bipolar Transistors) som kommer att erbjudas i ett format med litet fotavtryck samtidigt som de ger lägre effektförluster. Komponenterna är avsedda för nästa generations växelriktade till elfordon. De nya IGBT:erna i företagets AE5-generation kommer att massproduceras med start under första halvåret 2023 vid Renesas 200- och 300 mm wafer-produktionslinor i företagets fabrik i Naka i Japan. Dessutom kommer … [Läs mer...] om Renesas lanserar IGBT:er till växelriktare för elfordon
SweGaN tar in riskkapital och samarbetar om GaN på SiC-kraftenheter
Före midsommar rapporterade SweGaN och Chalmers att de tillsammans demonstrerat högspännings GaN-kraftenheter med en hög genombrottsspänning på >1600V och låg läckström på 22nA/mm på SweGaN:s QuanFINE epitaxi. Förra veckan avslöjade Linköpings universitet (LiU) att SweGaN också tagit in 100 miljoner kronor i riskkapital. SweGaN grundades 2014 och baserar sin teknologi på materialforskning vid Linköpings universitets institution IFM där företagets produktion fortfarande sker. Företaget … [Läs mer...] om SweGaN tar in riskkapital och samarbetar om GaN på SiC-kraftenheter
