Fraunhofer IISB har lyckats växa en aluminiumnitrid (AlN)-kristall med en diameter på 43 mm i teknikrelevant kvalitet med låg mängd defekter avsett för effekttransistorer och kommer i framtiden prestandamässigt kunna konkurrera med halvledare i SiC och GaN. Resultatet är enligt forskningsinstitutet Fraunhofer ett betydande steg för att nå den viktiga milstolpen inom det av Federal Ministry of Education and Research (MBMF) finansierade projektet Leitban att demonstrera en AlN-kristall med … [Läs mer...] om Fraunhofer IISB visar upp AlN-kristall med Ø 43 mm
Halvledare
Renesas lanserar IGBT:er till växelriktare för elfordon
Renesas Electronics lanserar nu en ny generation Si-IGBT:er (Silicon Insulated Gate Bipolar Transistors) som kommer att erbjudas i ett format med litet fotavtryck samtidigt som de ger lägre effektförluster. Komponenterna är avsedda för nästa generations växelriktade till elfordon. De nya IGBT:erna i företagets AE5-generation kommer att massproduceras med start under första halvåret 2023 vid Renesas 200- och 300 mm wafer-produktionslinor i företagets fabrik i Naka i Japan. Dessutom kommer … [Läs mer...] om Renesas lanserar IGBT:er till växelriktare för elfordon
SweGaN tar in riskkapital och samarbetar om GaN på SiC-kraftenheter
Före midsommar rapporterade SweGaN och Chalmers att de tillsammans demonstrerat högspännings GaN-kraftenheter med en hög genombrottsspänning på >1600V och låg läckström på 22nA/mm på SweGaN:s QuanFINE epitaxi. Förra veckan avslöjade Linköpings universitet (LiU) att SweGaN också tagit in 100 miljoner kronor i riskkapital. SweGaN grundades 2014 och baserar sin teknologi på materialforskning vid Linköpings universitets institution IFM där företagets produktion fortfarande sker. Företaget … [Läs mer...] om SweGaN tar in riskkapital och samarbetar om GaN på SiC-kraftenheter