Infineon Technologies meddelar att föreaget släppt rymdindustrins första strålningshärdade ferroelektriska RAM (F-RAM) med seriellt gränssnitt (SPI) för extrema miljöer. De nya kretsarna kommer enligt Infineon med oöverträffad tillförlitlighet och dataretention, och är mer energieffektiva än icke-flyktiga EEPROM- och seriella NOR Flash-enheter för rymdapplikationer.
Tillägget av ett QML-V-kvalificerade F-RAM till Infineons minnesportfölj kommer med fördelar såsom en nästan oändlig uthållighet, en omedelbar icke-flyktig skrivteknik och över 100 års dataretention tillgängliga för rymdapplikationer. Som en direkt ersättning för seriella NOR-flash och EEPROM, är strålningshärdade (rad hard) F-RAM idealisk för dataloggning av uppdragskritiska data, telemetrilagring och kommando- och kontrollkalibreringsdatalagring. Den nya kretsen är enligt Infineon också idealisk för att tillhandahålla lagringslösningar för startkod (bootkod) för mikrostyrkretsar, FPGA:er och ASIC:s.
Stödet för industristandarden Serial Peripheral Interface (SPI)-protokollet ger ett mindre fotavtryck på kretskortet och ett lägre antal ben. Seriella protokoll används alltmer i satellit- och rymdtillämpningar, med flera leverantörer som nu erbjuder SPI-kapabla rymdkvalitetsprocessorer, FPGA:er och ASIC:s.
– Som en erkänd ledare inom högtillförlitliga lösningar för rymdtillämpningar, både genom vår IR HiRel-verksamhet och inom rymdklassade minnen, har Infineon åtagit sig att leverera de mest tillförlitliga, energieffektiva minnena för nästa generations rymdtillämpningar, säger Helmut Puchner , Vice President Fellow of Aerospace and Defence på Infineon Technologies.
– De nyligen introducerade ”rad hard” F-RAM-enheterna har överlägsen skrivförmåga med lägre effektkrav än alternativen, och stödjer systemdesigner med färre komponenter, förbättrad prestanda och ingen kompromiss avseende tillförlitlighet.
F-RAM:en med en densitet på 2 Mb med SPI är det första i sin familj av strålningshärdade icke-flyktiga F-RAM:er. Enheterna har praktiskt taget oändlig uthållighet utan ”wear leveling”, med 10 biljoner läs-/skrivcykler och 120 års datalagring vid 85°C, vid ett driftspänningsområde på 2,0 V till 3,6 V. Den lägsta driftsströmmen är max 10 mA, med en mycket låg programmeringsspänning på 2 V.
De strålningshärdade F-RAM är enligt Infineon också lämpliga för flygelektronik och andra applikationer som kräver militära standardtemperaturer från -55°C till 125°C. Kretsen kommer i en 16-bens keramisk SOP-kapsling. Till det lämnar Infinion följade strålningsprestanda:
- TID: >150 Krad (Si)
- SEL: >114 MeV·cm2/mg @ 115°C
- SEU: Immune
- SEFI: <1,34 * 10-4 err/dev.day
Strålningshärdade F-Ram finns tillgängliga nu.
