STMicroelectronics och kinesiska Innoscience har tecknat avtal om utveckling och tillverkning av GaN-komponenter för kraftelektronik, datacenter, fordon och industrisystem. Den gemensamma ambitionen är att de båda företagen kan utöka sitt individuella erbjudande av GaN-enheter.
Företagen har kommit överens om ett gemensamt utvecklingsinitiativ för GaN-kraftteknik för konsumentelektronik, datacenter, fordons- och industrikraftsystem och andra applikationer under de kommande åren. Avtalet tillåter dessutom att Innoscience kan utnyttja ST:s front-end tillverkningskapacitet utanför Kina för sina 8-tums GaN-wafers, medan ST kan utnyttja Innosciences front-end tillverkningskapacitet i Kina för sina egna GaN-wafers. Den gemensamma ambitionen är att var och ett av de båda företagen kamn utöka sitt individuella erbjudande i GaN med flexibilitet i leveranskedjan och motståndskraft för att täcka kundernas krav inom ett brett spektrum av applikationer.
– ST och Innoscience är båda Integrated Device Manufacturers, och med det här avtalet kommer vi att utnyttja denna modell till fördel för våra kunder globalt. För det första kommer ST att accelerera sin färdplan inom GaN-kraftteknik för att komplettera dess kisel- och kiselkarbiderbjudande för att kunna erbjuda en flexibel tillverkningsmodell för att betjäna kunder globalt, säger Marco Cassis, chef för, Analog, Power & Discrete, MEMS and Sensors of STMicroelectronics.
– GaN-teknik är avgörande för att förbättra elektroniken, skapa mindre och effektivare system som sparar el, lägre kostnader och minskar CO2-utsläpp. Innoscience banade väg för massproduktion av 8-tums GaN-teknik och har skickat över 1 miljard GaN-enheter på flera strategiska marknader och är exalterade över samarbetet med ST, säger Dr. Weiwei Luo, styrelseordförande och grundare av Innoscience.
