Rohm lanserar nu en hybrid-IGBT med integrerad 650 V SiC Schottky-barriärdiod i RGWxx65C-serien (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR) som minskar förluster med 67 procent jämfört med konventionella IGBT:er. Provexemplar finns tillgängliga nu och massproduktion planeras till december 2021.
Komponenterna är kvalificerade enligt AEC-Q101 (tillförlitlighetsstandard för fordon). Enligt Rohm är de idealiska för fordons- och industriapplikationer som hanterar hög energi, såsom solcellsanläggningar, laddare och DC/DC-omvandlare som används i elektriska och elektrifierade fordon (xEV).
RGWxx65C-serien innehåller Rohms lågförlusts SiC Schottky-barriärdioder (SBD) i IGBT:ns återkopplingsblock som en frihjulsdiod som nästan inte har någon återvinningsenergi och därmed minimal diodswitchningsförlust. Eftersom återhämtningsströmmen inte behöver hanteras av IGBT:n i påslagsläge (turn-on mode) blir dessutom IGBT:ns turn-on-loss avsevärt mindre. Båda effekterna tillsammans resulterar enligt Rohm i upp till en 67 procents lägre förlust jämfört med konventionella IGBT:er och 24 procents lägre förlust jämfört med Super Junction MOSFET (SJ MOSFET) när de används i fordonsladdare. Denna effekt ger enligt Rohm bra kostnadsprestanda samtidigt som den bidrar till lägre energiförbrukning i industri- och fordonsapplikationer.
Dessutom säkerställs en hög verkningsgrad på över 97 procent över ett brett driftsfrekvensområde när man använder den här komponentserien för fordonsladdare – 3 procent högre än dagens IGBT:er vid 100 kHz – vilket enligt Rohm bidrar till lägre energiförbrukning och bra kostnadsprestanda inom fordons- och industriutrustning.
Rohm har prissatt sina provexemplar till 9,055 dollar/enhet (exklusive moms).
