GaN Systems lanserar nu en utvärderingssats med moderkort och fyra dotterkort som skall underlätta för konstruktörer av AC/DC, energilagring, DC/DC-omvandlare och andra kraftsystem att utvärdera GaN E-HEMT-prestanda i en mängd olika systemkonstruktioner.
Satsen innehåller ett universellt moderkort (GS665MB-EVB) och till det finns fyra dotterkort som sträcker sig från 750 W till 2500 W och som består av två av GaN-Systems 650 V GaN Enhancement-mode HEMTs (E-HEMTs) samt alla nödvändiga kretsar, inklusive en halvbryggad gatedrivkrets, isolerade nätaggregat och en kylfläns som tillval för att skapa ett kraftsteg.
Det finns ett flertal funktioner som maximerar utvärderingssatsen nytta; pattformen kan till exempel fungera som en referensdesign och utvärderingsverktyg samt som en färdig lösning som kan införlivas i ett system för utvärdering. Den har också en vertikal monteringslösning med en höjd på 35 mm vilket passar de flesta 1U-konstruktionerna och tillåter utvärdering av GaN E-HEMTs i en traditionell strömförsörjningsenhet med genomgående hål-montage på kortet. Det finns även en strömshuntfunktion för provning av switchenergikarakterisering och en universell formfaktor används för att ge möjlighet att jämföra olika effektnivåer för optimala kostnads/prestanda-beslut.
GaN Systems lanserar också GS61008P-EVBBK, en effektiv 48 till 12 V synkron buckomvandlare baserad på företagets GS61008P – en 100 V, 90 A GaN E-HEMT. Omvandlaren har en mycket hög verkningsgrad vid frekvenser upp till 2 MHz, vilket vanligen önskas i 48 V-system.
