Sydkoreanska SK hynix meddelade att de har slutfört utvecklingen och förberedelserna av företagets senaste minne med hög bandbredd (HBM41), en nästa generations minnesprodukt med fördubblad bandbredd och en energieffektivitet som har förbättrats med 40 procent jämfört med föregående generation.
SK hynix HBM (High Bandwidth Memory) kopplar vertikalt samman flera DRAM-chips och ökar dramatiskt databehandlingshastigheten jämfört med konventionella DRAM-produkter. Det finns sex generationer av företagets HBM, med början i den ursprungliga HBM som följdes av HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E och HBM4.
– Slutförandet av HBM4-utvecklingen kommer att vara en ny milstolpe för branschen. Genom att leverera en produkt som uppfyller kundernas behov av prestanda, energieffektivitet och tillförlitlighet i tid kommer företaget att uppfylla time-to-market och bibehålla sin konkurrenskraftiga position, säger Joohwan Cho, chef för HBM-utveckling på SK hynix, som har lett utvecklingen.
Med den senaste dramatiska ökningen av AI-efterfrågan och databehandling ökar behovet av minnen med hög bandbredd, det vill säga den maximala datakapacitet som ett ”HBM-paket” kan bearbeta per sekund, för snabbare systemhastighet. Dessutom har det blivit ett viktigt krav för kunderna att säkra energieffektiviteten inom minnet, eftersom energiförbrukningen för datacenterdrift har ökat. SK hynix förväntar sig att HBM4, med ökad bandbredd och energieffektivitet, ska vara den optimala lösningen för att möta kundernas behov.
Enligt SK hynix har HBM4 branschens bästa databehandlingshastighet och energieffektivitet med en bandbredd som fördubblats genom införandet av 2 048 I/O-terminaler, vilket är en fördubbling jämfört med föregående generation, och energieffektiviteten förbättrats med mer än 40 procent. Företaget förväntar sig att förbättra AI-tjänsternas prestanda med upp till 69 procent när produkten används, vilket kommer att leda till att dataflaskhalsar löses och datacentrets energikostnader avsevärt minskas.
Företaget har vida överträffat standardiseringsorganet JEDECs standarddriftshastighet (8 Gbit/s) genom att i HBM4 implementera en driftshastighet på över 10 Gbit/s. Dessutom antog företaget den avancerade MR-MUF-processen i HBM4, som har visat sig vara tillförlitlig på marknaden, och 1bnm-processen, eller den femte generationen av 10-nanometertekniken, för att minimera risken vid massproduktion.
MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill)-processen staplar halvledarchips, injicerar flytande skyddande material mellan dem för att skydda kretsen mellan chipsen och härda dem. Processen har enligt SK hynix visat sig vara mer effektiv och ändamålsenlig för värmeavledning jämfört med metoden att lägga filmliknande material för varje chipstack. SK hynix avancerade MR-MUF-teknik är enligt bolaget avgörande för att säkerställa en stabil HBM-massproduktion eftersom den ger god vridningskontroll och minskar trycket på de chips som staplas.
– Vi presenterar etableringen av världens första massproduktionssystem för HBM4, säger Justin Kim, vd och chef för AI Infra på SK hynix.
– HBM4, en symbolisk vändpunkt bortom AI-infrastrukturens begränsningar, kommer att vara en kärnprodukt för att övervinna tekniska utmaningar. Vi kommer att växa till en fullstack-leverantör av AI-minnen genom att i tid leverera minnesprodukter med bästa kvalitet och mångsidiga prestanda som krävs för AI-eran.
