Renesas Electronics har slutfört förvärvet av det amerikanska GaN-företaget Transphorm från och med den 20 juni 2024. När förvärvet nu är genomfört kommer Renesas omedelbart att börja erbjuda GaN-baserade kraftprodukter och relaterade referensdesigner för att möta den ökande efterfrågan på halvledarprodukter med brett bandgap (WBG).
WBG-material som galliumnitrid (GaN) och kiselkarbid (SiC) anses vara nyckelteknologier för nästa generations krafthalvledare på grund av deras överlägsna effekteffektivitet, högre kopplingsfrekvenser och mindre fotavtryck jämfört med konventionella kiselbaserade enheter. Både GaN- och SiC-baserade produkter förväntas växa snabbt under det kommande decenniet, drivet av efterfrågan från elfordon (EV), växelriktare, datacenterservrar, artificiell intelligens (AI), förnybar energi, industriell kraftomvandling, konsumenttillämpningar med mera.
– Kunderna drar direkt nytta av de nya GaN-produkterna genom nyckelfärdiga referensdesigner, som integrerar teknologier från båda företagen, säger Chris Allexandre, Senior Vice President och General Manager för Power på Renesas.
Att investera i kraftbranschen uppges vara en viktig del av Renesas strategi för att uppnå hållbar, långsiktig tillväxt. Andra nya drag som Renesas har gjort för att stärka detta marknadssegment inkluderar:
- Öppnandet av Kofu Factory, en dedikerad 300 mm waferfab för kraftprodukter
- Uppbyggnad av en ny SiC-produktionslinje vid Takasaki-fabriken
- Avtal med Wolfspeed för att säkerställa en stabil tillgång på SiC-wafers under de kommande 10 åren
Med den GaN-teknik som nu ingår i Renesas portfölj säger sig bolaget vara redo att erbjuda mer omfattande kraftlösningar för att stödja kundernas föränderliga behov inom ett brett spektrum av applikationer. Samma dag som Renesas slutförde förvärvet av Transphorm rullade företaget ut 15 nya kombinationer av marknadsfärdiga referensdesigner som kombinerar de nya GaN-produkterna med Renesas inbyggda bearbetning, kraft, anslutningsmöjligheter och analogportföljer. Dessa inkluderar designen av Transphorms GaN-teknik för fordon integrerad för inbyggda batteriladdare samt 3-i-1 drivlinelösningar för elbilar.
