STMicroelectronics (ST) har fått grönt ljus från den italienska staten avseende en delfinansiering på 2 miljarder euro inom ramen för EU Chips Act till bygget av en ny SiC-fabrik i Catania i Italien. Stödet är en del av ett förväntat flerårigt investeringsprogram på 5 miljarder euro.
Planen för den nya 200 mm SiC tillverkningsanläggningen är att starta produktionen 2026 och öka till full kapacitet 2033, med upp till 15 000 producerade wafers per vecka vid full utbyggnad. ST:s plan är att skapa en anläggning med helt vertikalt integrerad SiC-kapacitet, från FoU till tillverkning och från substrat till modul. I kombination med att företagets anläggning för SiC-substrattillverkning färdigställs på samma plats, kommer dessa anläggningar tillsammans att utgöra ST:s Silicon Carbide Campus med en helt vertikalt integrerad fabrik för massproduktion av SiC på en och samma geografiska plats.
– De helt integrerade funktionerna som öppnas upp av Silicon Carbide Campus i Catania kommer att bidra väsentligt till ST:s SiC-teknologiska ledarskap för fordons- och industrikunder under de kommande decennierna. Den skala och synergieffekter som detta projekt erbjuder kommer att göra det möjligt för oss att bättre förnya oss med tillverkningskapacitet för stora volymer, till fördel för våra europeiska och globala kunder när de övergår till elektrifiering och söker mer energieffektiva lösningar för att uppfylla sina avkarboniseringsmål, säger Jean-Marc Chery, vd och koncernchef för STMicroelectronics i ett pressmeddelande.
Silicon Carbide Campus kommer att fungera som centrum för ST:s globala SiC-ekosystem, som integrerar alla steg i produktionsflödet, inklusive SiC-substratutveckling, epitaxiella växtprocesser, 200 mm front-end wafer-tillverkning och modul back-end-montering, såväl som process-FoU , produktdesign, avancerade FoU-labb för SiC-brickor, kraftsystem och moduler, och kompletta packeteringsmöjligheter.
ST tillverkar idag SiC-produkter i hög volym vid två 150-millimeters wafer-linjer: Catania i Italien och Ang Mo Kio i Singapore. Ett tredje nav är ett joint venture med Sanan Optoelectronics, med en 200-millimetersanläggning under uppbyggnad i Chongqing i Kina, dedikerad för ST att betjäna den kinesiska marknaden. ST:s waferproduktionsanläggningar stöds av fordonskvalificerade, högvolymsmonterings- och testverksamheter i Bouskoura i Marocko och Shenzhen i Kina. FoU och industrialisering av SiC-substrat bedrivs i Norrköping (f.d. Norstel AB) och Catania, där ST:s tillverkningsanläggning för SiC-substrat nu rampar upp produktionen och merparten av ST:s FoU- och designpersonal för SiC-produkter är baserade.
