Minnesteknikföretaget Weebit Nano har tejpat ut (släppt till tillverkning) ett demonstrationschip som integrerar dess inbyggda Resistive Random-Access Memory (ReRAM eller RRAM)-modul i en avancerad 22nm FD-SOI processteknik. Detta är en första tape-out av företagets Weebit ReRAM i 22nm, en av branschens vanligaste processnoder, och en geometri där inbyggd flash inte är genomförbar.
Weebit har arbetat med sina utvecklingspartners CEA-Leti och CEA-List för att framgångsrikt skala ner sin ReRAM-teknik till 22nm. Teamen designade en full IP-minnesmodul som integrerar ett multimegabit ReRAM-block avsedd för en 22nm FD-SOI-process som är utvecklad för uppkopplade och tillämpningar med ultralåg strömförbrukning såsom IoT och edge AI.
Eftersom inbyggd flash inte kan skala under 28nm behövs ny teknik för icke-flyktiga minnen (NVM) för mindre processgeometrier. Weebit ReRAM i 22nm FD-SOI erbjuder en lågeffekts, kostnadseffektiv inbyggd NVM-lösning som också tål tuffa miljöförhållanden.
– Vi är glada över att ha tejpat ut vårt första demochip i 22nm i enlighet med tidplan. Vi fortsätter att accelerera Weebits väg mot mer avancerade geometrier för att möta ett tydligt marknadsbehov inom applikationer som mikrostyrkretsar, IoT, 5G, edge AI och fordonsindustrin. Embedded NVM är ett nyckelelement i sådana konstruktioner, men eftersom inbäddad flash är svår att skala under 28nm, letar många företag efter nya teknologier såsom ReRAM. Det finns ett ökat intresse från företag som vill använda vårt ReRAM för att skapa spännande nya produkter inom dessa områden, säger Coby Hanoch, vd för Weebit Nano.
– FD-SOI-teknik ger hög prestanda med låga spänningar och lågt läckage för att göra det möjligt för enheter att arbeta vid högre frekvenser med bättre energieffektivitet. Det möjliggör också enklare integration av ytterligare funktioner som anslutning och säkerhet. Med Weebit ReRAM tillgängligt för denna process kommer branschen att ha ett mycket effektivt och robust NVM-alternativ för sina framtida produktinnovationer, säger Olivier Faynot, chef för Silicon Component Division på CEA-Leti.
Weebits inbäddade ReRAM-modul inkluderar en 8Mb ReRAM-array, styrlogik, avkodare, IO:er (Input/Output-kommunikationselement) och felkorrigeringskod (ECC). Den är designad med patentsökta analoga och digitala kretsar som kör smarta algoritmer som avsevärt uppges förbättra minnesarrayens tekniska parametrar. Andra fördelar som Weebit Nano framhåller med sin teknik är prestanda i tuffa miljöförhållanden inklusive höga temperaturer, strålning och elektromagnetiska fält, vilket gör den idealisk för applikationer som IoT, medicin, fordon och industri.
