• Hoppa till huvudnavigering
  • Hoppa till huvudinnehåll
  • Hoppa till det primära sidofältet
  • Hoppa till sidfot

SE Nytt

Elektroniknytt i Skandinavien

  • Hem
  • Nyheter
    • Nyheter · Elektronik
    • Nyheter · Energi
    • Nyheter · Telekom
    • Nyheter · Ekonomi
    • Nyheter · FoU
  • Om oss
  • Kontakt
Hem » ST i samarbete med Leti om GaN på kisel

ST i samarbete med Leti om GaN på kisel

26 september 2018 – Jonas Karlsson

STMicroelectronics (ST) tar nu hjälp av det franska forskningsinstitutet CEA Leti för att industrialisera GaN på kisel diod- och transistorarkitekturer på 200 mm wafers. Den nya GaN-on-Si-tekniken kommer att användas för kraftswitchar i fordonstillämpningar till el- och hybridbilar, för trådlös laddning och servrar.

Samarbetet fokuserar på att utveckla och kvalificera avancerade GaN-on-Si kraftdiod- och transistorarkitekturer på 200 mm wafers, en marknad som marknadsundersökningsföretaget IHS Markit uppskattar växa med en CAGR på mer än 20 procent från 2019 till 2024. ST och Leti kommer att utnyttja Letis ramprogram IRT Nanoelec för att utveckla processtekniken på Letis befintliga 200 mm FoU-lina och förväntar sig att ha validerade konstruktionsprover framme 2019. Parallellt kommer ST att skapa en fullt ut kvalificerad tillverkningslina, inklusive GaN/Si heterero-epitaxa, med produktionsstart i ST:s front-end wafer fab i Tours, Frankrike, senast 2020. Dessutom kommer Leti och ST att ta fram avancerade tekniker för att förbättra kapslingen av enheter för montering av kraftaggregat med hög effektdensitet.

Samarbete med Macom
ST meddelande nyligen också att företaget ingått ett avtal med Macom om utveckling av teknik för GaN på kisel för RF-applikationer. Macom använder tekniken inom ett brett spektrum av RF-applikationer och ST på marknaden för ”icke-telekom”. Det här samarbetet kan låta lite märkligt eftersom båda företagen använder GaN-teknik, men dock på strukturellt olika sätt och med olika applikationsfördelar. Dessa inkluderar tillämpningen av Power GaN-on-Si-tekniken som tillverkas på 200 mm wafers, medan RF GaN-on-Silicon är – för närvarande åtminstone – bättre lämpad för 150 mm wafers.

Arkiverad under: Elektronik Märkt med: Kraftelektronik

Translate SE-Nytt to your own language

Primärt sidofält

Aktuellt

LiU och Norrköping Airport skapar testbädd för drönare

Gapwaves inleder produktion av ADAS-antenner till Valeo

Telekrigsbolaget Oscillion får order på drönarstörare

Skuldberg får Wolfspeed att ansöka om konkurs

Inission förvärvar litauiska branschkollegan Selteka

Afry tecknar ramavtal med Volvo Cars

Norska ONiO och VINATech ingår partnerskap

W5 Solutions säkrar order på CV90-simulatorer

Smoltek uppnår utmärkt stabilitet med sin kondensatorteknik

Summa Defences dotterbolag Lightspace investerar i Lettland

Footer

Aktuellt

LiU och Norrköping Airport skapar testbädd för drönare

Gapwaves inleder produktion av ADAS-antenner till Valeo

Telekrigsbolaget Oscillion får order på drönarstörare

Skuldberg får Wolfspeed att ansöka om konkurs

TRANSLATE SE-Nytt

SE Nytt

Kronobergsgatan 16 2tr, 112 33 Stockholm
E-post jonas@senytt,se
Tel +46 (0)73 697 5850

RSS RSS-feed

© 2025 SE Nytt · Xpomagz On Genesis Framework & WordPress · GDPR+Cookies · Logga in