STMicroelectronics (ST) tar nu hjälp av det franska forskningsinstitutet CEA Leti för att industrialisera GaN på kisel diod- och transistorarkitekturer på 200 mm wafers. Den nya GaN-on-Si-tekniken kommer att användas för kraftswitchar i fordonstillämpningar till el- och hybridbilar, för trådlös laddning och servrar.
Samarbetet fokuserar på att utveckla och kvalificera avancerade GaN-on-Si kraftdiod- och transistorarkitekturer på 200 mm wafers, en marknad som marknadsundersökningsföretaget IHS Markit uppskattar växa med en CAGR på mer än 20 procent från 2019 till 2024. ST och Leti kommer att utnyttja Letis ramprogram IRT Nanoelec för att utveckla processtekniken på Letis befintliga 200 mm FoU-lina och förväntar sig att ha validerade konstruktionsprover framme 2019. Parallellt kommer ST att skapa en fullt ut kvalificerad tillverkningslina, inklusive GaN/Si heterero-epitaxa, med produktionsstart i ST:s front-end wafer fab i Tours, Frankrike, senast 2020. Dessutom kommer Leti och ST att ta fram avancerade tekniker för att förbättra kapslingen av enheter för montering av kraftaggregat med hög effektdensitet.
Samarbete med Macom
ST meddelande nyligen också att företaget ingått ett avtal med Macom om utveckling av teknik för GaN på kisel för RF-applikationer. Macom använder tekniken inom ett brett spektrum av RF-applikationer och ST på marknaden för ”icke-telekom”. Det här samarbetet kan låta lite märkligt eftersom båda företagen använder GaN-teknik, men dock på strukturellt olika sätt och med olika applikationsfördelar. Dessa inkluderar tillämpningen av Power GaN-on-Si-tekniken som tillverkas på 200 mm wafers, medan RF GaN-on-Silicon är – för närvarande åtminstone – bättre lämpad för 150 mm wafers.
