Toshiba Electronics Europe (TEE) har utökat sitt sortiment av företagets högeffektiva U-MOS IX-H-serie med en 60 V mosfet (N-kanal) i en ”DSOP Advance” SMD-kapsel med dubbelsidig värmeavledning.
Företagets nya 60 V mosfet har en extremt låg typisk on-resistans (@ VGS=10 V) på 0,95 mΩ i en kapsling med formfaktorn 5 x 6 mm. Maximal kollektorström och effektavledning är 260 A respektive 170 W. Den förbättrade värmeavledningen fås genom möjligheten att kyla komponenten från både ovan- och undersidan, vilket kan bidra till att minska antalet komponenter och spara utrymme i applikationer med hög komponenttäthet. Den termiska resistansklassningen (Rth (ch-c) på 0,88k/W) på ovansidan av kapseln är enligt TEE betydligt lägre än den hos konkurrenternas kapslingar.
Toshibas U-MOS IX-H-process möjliggör enligt företaget en ”best-in-class”-avvägning mellan RDS (on) och typiskt Qoss (77,5 nC). Enligt företaget gör detta möjligt för designers att ytterligare förbättra systemets prestanda och effektivitet genom att höja omkopplingshastigheter och minska switchförlusterna. Tillämpningarna för denna Toshibas senaste mosfet hittas inom DC-DC-omvandlare, sekundärsidokretsar hos AC/DC-nätaggregat och för motordrift i sladdlösa hushållsmaskiner och elverktyg.
