• Hoppa till huvudnavigering
  • Hoppa till huvudinnehåll
  • Hoppa till det primära sidofältet
  • Hoppa till sidfot

SE Nytt

Elektroniknytt i Skandinavien

  • Hem
  • Nyheter
    • Nyheter · Elektronik
    • Nyheter · Telekom
    • Nyheter · Energi
    • Nyheter · Ekonomi
    • Nyheter · FoU
  • Om oss
  • Kontakt
Hem » Toshiba släpper mosfet med dubbel kylning

Toshiba släpper mosfet med dubbel kylning

13 februari 2017 – Jonas Karlsson

Toshiba Electronics Europe (TEE) har utökat sitt sortiment av företagets högeffektiva U-MOS IX-H-serie med en 60 V mosfet (N-kanal) i en ”DSOP Advance” SMD-kapsel med dubbelsidig värmeavledning.
tosmos
Företagets nya 60 V mosfet har en extremt låg typisk  on-resistans (@ VGS=10 V) på  0,95 mΩ i en kapsling med formfaktorn 5 x 6 mm. Maximal kollektorström och effektavledning är 260 A respektive 170 W. Den förbättrade värmeavledningen fås genom möjligheten att kyla komponenten från både ovan- och undersidan, vilket kan bidra till att minska antalet komponenter och spara utrymme i applikationer med hög komponenttäthet. Den termiska resistansklassningen (Rth (ch-c) på 0,88k/W) på ovansidan av kapseln är enligt TEE betydligt lägre än den hos konkurrenternas kapslingar.

Toshibas U-MOS IX-H-process möjliggör enligt företaget en ”best-in-class”-avvägning mellan RDS (on) och typiskt Qoss (77,5 nC). Enligt företaget gör detta möjligt för designers att ytterligare förbättra systemets prestanda och effektivitet genom att höja omkopplingshastigheter och minska switchförlusterna. Tillämpningarna för denna Toshibas senaste mosfet hittas inom DC-DC-omvandlare, sekundärsidokretsar hos AC/DC-nätaggregat och för motordrift i sladdlösa hushållsmaskiner och elverktyg.

Arkiverad under: Elektronik, Kapsling, Komponenter, Kraftelektronik, Nyheter

Translate SE-Nytt to your own language

SwedishEnglishGermanFrenchItalianSpanishPortugueseDanishNorwegianFinnishRussianChinese (Simplified)Arabic

Primärt sidofält

Aktuellt

LiU: Vässad kemisk sax banar väg för skräddarsydda nanomaterial

LTU: Smarta satelliter ska styra sig själva

Ny metod för utvinning av sällsynta jordartsmetaller i Fetsjön

Northvolt önskar ytterligare medel till expansion

Keysight introducerar batteriemulerings- och profileringslösning för IoT

Huawei testar EDA-verktyg för 14 nm-geometrier

Rise bjuder in till digital workshop om Agenda 2.0

Prenumerera på SE Nytt

Footer

Aktuellt

LiU: Vässad kemisk sax banar väg för skräddarsydda nanomaterial

LTU: Smarta satelliter ska styra sig själva

Ny metod för utvinning av sällsynta jordartsmetaller i Fetsjön

Northvolt önskar ytterligare medel till expansion

Prenumerera på SE Nytt

SwedishEnglishGermanFrenchItalianSpanishPortugueseDanishNorwegianFinnishRussianChinese (Simplified)Arabic

SE Nytt

Kronobergsgatan 16 2tr, 112 33 Stockholm
E-post jonas@senytt,se
Tel +46 (0)73 697 5850

RSS RSS-feed

© 2023 SE Nytt · Xpomagz On Genesis Framework & WordPress · GDPR+Cookies · Logga in