Texas Instruments (TI) introducerar nu en 1,2 mm2 60 V N-kanals effekt-MOSFET med vad företaget säger har branschens lägsta Rds(on) i en LGA-kapsel som är 80 procent mindre än dem i traditionella 60 V lastswitchar.
TI lanserar nu en ny 60 V N-kanals FemtoFET effekttransistor som uppges ha ett Rds(on) som är 90 procent lägre än traditionella 60 V lastswitchar. Transistorn har beteckningen CSD18541F5 och ingår nu i TI:s teknikportfölj NexFET. Den erbjuds i en liten 1,53 x 0,77 x 0,35 mm kiselbaserad kapsel med en 0,5 mm padpitch, vilket ger ett 80 procents mindre fotavtryck än lastswitchar kapslade med SOT-23.
MOSFET:en har ett typiskt Rds(on) på 54 mΩ vid 10 VGS och är konstruerad och optimerad för att ersätta vanliga småsignals MOSFET:ar i utrymmesbegränsade industriella lastswitchapplikationer. Den har även en Integrerad ESD skyddsdiod som skyddar MOSFET:ens gate mot överspänning.
Transitorn finns nu tillgänglig i volymkvantiteter och kostar 0,14 dollar vid beställningar om 1000.
