Integrated Device Technology, Inc. (IDT) presenterade idag sin F2912-switch, den första i en rad nya RF switchprodukter som planeras av halvledarföretag.
F2912 har en kombination av låg ingångsförlust hög isolation och linjäritet som gör att den kan passa till basstationer (2G, 3G och 4G), mikrovågsback- och fronthaul, testutrustning, CATV headend, WiMAX, trådlösa system och allmänna kopplingstillämpningar.
F2912 stödjer de senaste systemkraven för flera applikationer med funktioner som inkluderar:
· Frekvensområde 300 kHz till 8 GHz. Hög bandbredd utan att offra prestanda över hela frekvensområdet.
· Låg IL på 0.4dB ger låga transmissionsförluster utan att kompromissa med isoleringsprestanda.
· Hög isolering på 60 dB vid 2 GHz för att minska signalläckage mellan intilliggande RF-portvägar.
· Hög OIP3 på 64 dBm för att minska intermodulationsdistorsion.
· P1dB på 30 dBm, ger 1W kompressionspunkt, vilket garanterar robust funktion för en mängd olika tillämpningar.
· 3.3 V och 1,8 V styrlogik enligt gängse logiknivåer för FPGA och mikrostyrkretsar.
· Temperaturområde -55 till 125 ° C för hög tillförlitlighet i tuffa termiska miljöer.
– F2912 representerar IDT:s inträde på RF switchmarknaden. Chipet kan integreras sömlöst med våra andra ledande RF-produkter för att ge ingenjörer en pålitlig och effektiv utvecklingsväg. Med sin uppsättning höga prestanda är F2912 idealisk för en mängd trådlösa och andra RF-tillämpningar, säger Chris Stephens, IDT’s chef för Wireless Product Definition and Marketing i ett pressmeddelande.
