Minnesteknik

Renesas Electronics har utvecklat två nya teknologier som enligt företaget minskar energiåtgången med 72 procent och spänningsappliceringstiden med 50 procent för skrivoperationen av så kallade spin-transfer torque magnetic random-access memory (STT-MRAM, hädanefter benämnt MRAM). På ett 20-megabitars (Mbit) testchip med en inbyggd uppsättning MRAM-minnesceller i en 16 nm FinFET-logikprocess, lyckades företaget uppnå 72-procentig minskning av skrivenergin och en 50-procentig minskning av … [Läs mer...] om Spar energi med ny skrivteknik för MRAM