Linköpingsföretaget SweGaN har i en serie B-runda tagit in 14 miljoner dollar för att skala upp produktionen och accelerera den globala tillväxten samt stödja utvecklingen av nästa generations GaN-på-SiC-material.
Rundan leddes av den svenska investeraren Thisbe AB, det danska riskkapitalbolaget North Ventures och befintliga aktieägare, vilket enligt SweGaN understryker investerarnas fortsatta förtroende för företagets teknologi inom GaN-på-SiC, marknadsposition och tillväxtbana. Finansieringen, som slutförs som en uppgraderingsrunda, ger SweGaNs en total finansiering på upp till 41 miljoner dollar.
– Att slutföra den här finansieringen som en uppgradering är ett starkt stöd för SweGaNs framsteg och långsiktiga potential. Stödet från både nya och befintliga investerare stärker vår balansräkning och ger de resurser som behövs för att skala upp ansvarsfullt samtidigt som vi fortsätter att investera i innovation, operationell excellens och global tillväxt. Vi går in i vår nästa fas från en position med finansiell styrka, säger Stefan Axelsson, finansdirektör för SweGaN AB i ett pressmeddelande.
Enligt SweGaN följer finansieringen på en period med en för bolaget stark verkställighet och tillväxt präglad av en växande kundbas, nya strategiska partnerskap och uppnåendet av viktiga milstolpar för kundkvalificering.
– SweGaN har byggt en differentierad teknikplattform på en strategiskt viktig halvledarmarknad. Vi är imponerade av teamets genomförande, kundmomentum och tillväxtpotential, och är glada att stödja företagets nästa expansionsfas, säger Fredrik Nordh, vd för Thisbe AB.
GaN-material kan användas för nästa generations radiofrekvens (RF) och kraftelektronikapplikationer – allt från 5G, satellitkommunikation och telekominfrastruktur till försvarsradarsystem och högeffektiv kraftomvandling i datacenter.
I takt med att den globala efterfrågan på halvledarlösningar med högre frekvens, högre effekt och mer energieffektivitet fortsätter att växa, positionerar sig SweGaN för att möta de ökande kundbehoven genom sin egenutvecklade epitaxialteknik, utvecklad och förfinad vid sin anläggning i Linköping.
Intäkterna kommer att användas till att:
- Utöka produktionskapaciteten för att möta den ökande kundefterfrågan.
- Stärka den kommersiella närvaron på viktiga globala marknader.
- Investera i talang och infrastruktur för att stödja framtida expansion.
- Accelerera forskning och utveckling av nästa generations GaN-på-SiC-material.
– Denna finansiering är en stark bekräftelse på vår teknologi, vårt team och vår strategi. Den gör det möjligt för oss att utöka produktionen, accelerera innovation och bättre betjäna kunder över hela världen i takt med att efterfrågan på högpresterande GaN-material fortsätter att växa, säger Jr-Tai Chen, vd för SweGaN.
SweGaN AB är specialiserade på design, utveckling och tillverkning av epitaxiala wafers av galliumnitrid på kiselkarbid (GaN-på-SiC). Huvudkontoret ligger i Linköping, och företaget bygger på forskning med ursprung vid Linköpings universitet.
