Sivers Semiconductors och SemiNex, en amerikansk utvecklare av indiumfosfid (InP) laserdioder, DFB-lasrar, halvledaroptiska förstärkare (SOAs) och externa kavitetslasrar, genomför nu en gemensam satsning på ett program för nästa generations InP-ljuskällor för AI-datacenters. Programmet är enligt företagen initialt värderat till cirka 3,4 miljoner dollar.
Programmet inriktar sig mot externa laserkällor med hög effekt för sampaketerad optik (CPO), DFB-matriser med högt kanalantal för våglängdsmultiplexerade länkar och SOA-förstärkningssteg som utökar den optiska räckvidden allt eftersom kanalantalet skalas upp. När optiken flyttas från frontplattan in i kapslingen, avgör effekt per våglängd, vägguttagseffektivitet och termisk stabilitet i allt högre grad hur långt en arkitektur kan skalas upp, vilket gör ljuskällan till ett designproblem på systemnivå snarare än ett komponentval.
– De avancerade ljuskällor som behövs för nästa generations optiska nätverk inom AI-fabrik är lika avgörande som beräknings-, minnes- och kiselfotonikelementen. Vi värdesätter vårt partnerskap med SemiNex högt för att kombinera innovativa tekniker och leverera övertygande ljuskälllösningar i stor skala till marknaden, säger Vickram Vathulya, vd för Sivers Semiconductors.
– Det optiska lagret håller på att bli begränsningen för hur långt AI-infrastrukturen kan skalas upp. Industrin behöver mer kraft, vid fler våglängder, med högre effektivitet, och det finns inget sätt att nå dit genom att pressa dagens enheter hårdare. Dessa vinster kommer från designen och bearbetningen av själva InP, och det är precis där våra två team arbetar tillsammans, säger Ronald Moore, vd för SemiNex.
Kundprover och tidig produktionsupprampning planeras till andra halvåret 2027.
