Det iraeliska startupföretaget RAAAM Memory Technologies, som utvecklar en nästa generations on-chip-minnesteknik, meddelar att de har slutfört en övertecknad serie A-finansieringsrunda på 17,5 miljoner dollar för massproduktion av företagets minneslösning.
RAAAM har utvecklat en nästa generations on-chip-minnesteknik döpt till GCRA som uppges ge upp till 50 procent ytreduktion och upp till 10 gånger mindre effektförbrukning jämfört med högdensitets-SRAM.
Rundan leddes av NXP Semiconductors och inkluderade ett ledande multinationellt nätverksföretag, IAG Capital Partners, EIC Fund, LiFTT, Alumni Ventures och alla befintliga investerare, inklusive J-Ventures, Silicon Catalyst Ventures och Serpentine Ventures. Rundan ger RAAAMs en totala finansiering på över 24 miljoner dollar, inklusive aktieinvesteringar och ett EIC Accelerator-bidrag.
Den nya finansieringen kommer att stödja en fullständig kvalificering av RAAAMs patenterade on-chip-minnesteknik (”GCRAM”) i ledande processnoder hos flera topprankade kiselsmedjor. Företaget uppges redan ha demonstrerat sin GCRAM-teknik på kisel från ledande smedjor och meddelat ett nära samarbete med NXP.
– Denna övertecknade finansieringsrunda med högprofilerade strategiska och finansiella investerare är ytterligare ett tecken på förtroende för vårt företag och vår revolutionerande teknik. Vår lösning lovar att lösa minnesflaskhalsen i ledande AI-chip genom betydande förbättring av minnestätheten och lägre strömförbrukning jämfört med SRAM, säger Robert Giterman, vd och medgrundare av RAAAM.
– Denna finansiering, och stödet från strategiska investerare som NXP och ett ledande nätverksföretag, är en stark bekräftelse på branschens behov av vår teknik. Vi är nu i en position att accelerera samarbeten med ledande halvledarföretag och smedjor och anpassa oss noggrant till våra kunders produktplaner, säger Eli Leizerovitz, RAAAMs CBO.
– Vi har samarbetat med RAAAM i flera år och har sett potentialen hos deras on-chip-minnesteknik på nära håll. Deras lösning adresserar direkt en av de mest kritiska utmaningarna inom avancerad chipdesign, och vi tror att den kan ge betydande densitets- och effektförbättringar över flera applikationer, säger Victor Wang, vice vd för Front-End Innovation på NXP Semiconductors.
– Att stärka Europas ledarskap inom strategiska teknologier är centralt för vårt uppdrag på EIC-fonden. RAAAMs genombrott inom on-chip-minne adresserar direkt en kritisk utmaning i halvledarvärdekedjan. Vi är glada att stödja deras väg från beprövade prototyper till marknadsfärdiga lösningar, säger Svetoslava Georgieva, ordförande för EIC-fondens styrelse.
Enligt RAAAM kan deras patenterade GCRAM tillverkas i vilken standard CMOS-process som helst och även användas av halvledarföretag som en drop-in-ersättning för SRAM, vilket möjliggör en större on-chip-minneskapacitet på en mindre kiselyta och med minskad effektförbrukning och kostnad. Företaget grundades 2021 och har sitt huvudkontor i Israel med ett FoU-center i Schweiz.
