II‐VI Incorporated kommer att investera 1 miljard dollar under 10 år i storskaliga fabriksutbyggnader för att öka produktionskapaciteten av SiC-wafers vid företagets anläggningar i Pennsylvania och i Kista utanför Stockholm.
II‐VI Incorporated lämnar nu fler detaljer kring hur den 1 miljard dollar stora investeringen i produktionskapacitet som företaget tidigare annonserat kommer att användas. II‐VI Incorporated kommer utöka tillverkningen av 150 mm och 200 mm kiselkarbid (SiC)-substrat och epitaxiella wafers genom storskaliga fabriksutbyggnader i Easton, Pennsylvania och i Kista. Verksamheten i Kista är sprunget ur Ascatron AB, ett företag som II‐VI Incorporated förvärvade 2020.
Enligt företaget sker investeringen tack vare den globala trenden med “electrification of everything” som kraftigt driver på efterfrågan på företagets SiC-produkter. II‐VI Incorporated kommer bygga ut sin nästan 300 000 kvadratmeter stora fabrik i Easton, för att skala upp produktionen av 150 mm och 200 mm SiC-substrat och epitaxiella wafers. SiC-substratproduktionen förväntas nå motsvarande 1 miljon 150 mm-substrat årligen 2027, och där andelen 200 mm-substrat växer över tiden. Utbyggnaden av den epitaxiella waferkapaciteten i Kista syftar till att betjäna den europeiska marknaden men II‐VI Incorporated ger ingen indikation om hur stor del av investeringen som kommer satsas här utan bara att tillverkningen av SiC epitaxiella wafers kommer ”avsevärt utökas”.
– Våra kunder accelererar sina planer för att möta den förväntade flodvågen av efterfrågan på SiC-kraftelektronik i elfordon som vi förväntar oss kommer strax efter den adoptionscykel som pågår inom industri, förnybar energi, datacenter med flera, säger Sohail Khan, Executive. Vice President, New Ventures & Wide-Bandgap Electronics Technologies.
– Eastonfabriken kommer att öka II-VI:s produktion av SiC-substrat med minst en faktor sex under de kommande fem åren, och den kommer också att bli II-VI:s flaggskeppstillverkningscenter för 200 mm SiC-epitaxialskivor, en av de största i världen.
II‐VI Incorporated kommer att utnyttja den epitaxialwafer-teknologi som utvecklats i Kista. Den här tekniken särskiljs av förmågan att tillverka tjocka lagerstrukturer i enkla eller flera återväxtsteg, vilket är idealiskt lämpat för kraftenheter i applikationer över 1 kilovolt.
Easton-fabriken kommer att drivas av ett avbrottsbart och skalbart mikronät baserat på bränslecellsteknologi för att ge hög leveranssäkerhet.
